Module Fuji IGBT A50L-0001-0448
2MBI200VH-120-50,
2MBI150U4H-120-50,
2MBI450VX-120,
2MBI400VB-060,
2MBI200VW-120D-51,
2MBI400VW-120D-51,
2MBI300NT-120-01,
2MBI200TC-060-01,
2MBI150U4B-120,
2MBI400VB-060-50,
2MBI400VB-060,
2MBI400U2B-060-IGBT,
2MBI400U2B-060-50,
2MBI400TC-060-01,
2MBI400TB-060-IGBT2
Thông số kỹ thuật :
- Loại linh kiện: IGBT Module
- Dòng điện cực đại (Collector Current – Ic):
- Dòng định mức: 150A
- Dòng đỉnh: Có thể chịu đựng dòng đỉnh cao hơn trong thời gian ngắn, tùy thuộc vào điều kiện hoạt động và thiết kế hệ thống.
- Điện áp cực đại (Collector-Emitter Voltage – Vce):
- Điện áp định mức: 600V
- Điện áp chịu đựng: Đây là mức điện áp tối đa mà mô-đun IGBT có thể chịu đựng giữa chân Collector và Emitter mà không bị phá hủy.
- Điện áp bảo hòa (Collector-Emitter Saturation Voltage – Vce(sat)):
- Mức điện áp: Khoảng 2.0V đến 3.0V, tùy thuộc vào điều kiện hoạt động và dòng điện.
- Ý nghĩa: Điện áp bảo hòa thấp giúp giảm tổn thất công suất trong chế độ bật của IGBT, cải thiện hiệu suất tổng thể của hệ thống.
- Điện áp cổng-gốc (Gate-Emitter Voltage – Vge):
- Điện áp điều khiển: Thường là từ 15V đến 20V để đảm bảo IGBT hoạt động hiệu quả.
- Điện áp đỉnh: 20V (tối đa).
- Điện áp ngưỡng (Vge(th)): Khoảng 4V đến 6V, là mức điện áp cần thiết để kích hoạt IGBT từ trạng thái tắt sang bật.
- Công suất tổn hao (Power Dissipation – Pd):
- Công suất tổn hao: Khoảng 300W đến 400W, tùy thuộc vào điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường. Hệ thống tản nhiệt hiệu quả là cần thiết để duy trì hoạt động ổn định.
- Nhiệt độ hoạt động (Operating Temperature):
- Khoảng nhiệt độ: -40°C đến +150°C.
- Nhiệt độ mối nối tối đa: 150°C, cần duy trì trong giới hạn này để tránh hư hỏng linh kiện.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.